可控硅散热器

可控硅的主要参数有：

1、额定通态平均电流IT在特定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

2、正向阻断峰值电压在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、反向阴断峰值电压当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

4、控制极触发电流、触发电压在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制极电流和电压。

5、维持电流在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所需的小阳极正向电流。

近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。